绕线晶圆电阻的高密度集成电路设计与优化

唐 宗飘, 苏 忠根, 庄 　重, 葛 俊旭, 徐 临超
浙江骐盛电子有限公司

摘要


随着电子技术的飞速发展，高密度集成电路已成为现代电子设备中不可或缺的组成部分。绕线晶圆电阻作
为一种高性能、高精度的电阻元件，在高密度集成电路设计中扮演着重要角色。本文首先介绍了绕线晶圆电阻的基
本概念及其在高密度集成电路中的应用，然后详细阐述了基于绕线晶圆电阻的高密度集成电路设计方法与优化策略。
通过实例分析，验证了所提方法的有效性和优越性，为高密度集成电路的设计提供了有益的参考。

关键词


绕线晶圆电阻；高密度集成电路；电路设计；优化策略

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参考


[1]张倩倩.三维集成电路中硅通孔互连参数提取的

研究[D].大连交通大学，2018.

[2]禚越，田明，王昌锋，等.集成电路工艺后道

互连寄生电容电阻的建模方法：CN201910911923.5[P].

CN110674612B[2024-04-25].

[3]禚越，田明，王昌锋，等.超大规模集成

电路工艺的后道互连寄生电容电阻的建模方法：

CN201910911923.5[P].CN110674612A[2024-04-25].

[4]方俊峰.氮化硅在集成电路铜互连中的应用研究

和改善[D].复旦大学[2024-04-25].

[5]王光耀，孙建平，李婷，等.集成电路高精度晶

圆测温技术研究[J].计量科学与技术，2023（4）：77-82，27.


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