探究不同的处理条件对硅 2θ 角的影响

田 　涛, 王 　洪, 王 　刚, 刘 云梅, 冯 文平
云南中晟新材料有限责任公司

摘要


对石墨 d002 测定用的单晶硅进行选型、烘烤、退火以及改变测试条件，通过 SEM 分析不同硅粉的表面形貌差异；
粒度仪分析不同硅粉的粒度分布；结合 XRD 分析不同条件下硅 2θ 角的波动和差异。实验结果显示：粒度的分布、硅料
的含水量以及硅料退火对硅 2θ 角的影响较大，但本次实验的验证性也存在不足，硅 2θ 角的波动还受制片力度、样片表
面的平整度、玻璃片凹槽的厚度均匀性的影响，故此次实验结论仅做参考。

关键词


石墨化度；XRD；单晶硅；退火；2θ 角

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参考


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DOI: http://dx.doi.org/10.12361/2661-3654-06-01-131519

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