充氧量对ITO薄膜结构及内应力的影响研究

韩 滨*, 赵 凡, 马 飞龙, 谭 玉蔚
中国建筑材料科学研究总院有限公司

摘要


电致变色玻璃用ITO透明电极要求具备良好的光电性能和长奉命，采用磁控溅射法在不同充氧量（4、8、
12、16 sccm）下制备了ITO薄膜，利用X射线衍射（XRD）技术系统研究了充氧量对薄膜晶体结构、晶粒尺寸及
内应力的影响。结果表明，所有样品均呈现立方铁锰矿结构的In2O3多晶特征，主要衍射峰对应于（211）、（222）、
（400）等晶面。随着充氧量的增加，ITO薄膜的晶格常数呈现先增大后减小的趋势，晶粒尺寸在8 sccm时达到最
大值。内应力计算表明，低氧流量下薄膜表现为压应力，而高氧流量下转变为张应力。本研究揭示了充氧量通过
改变薄膜的化学计量比和缺陷浓度进而影响其微观结构和应力状态的机制，为优化ITO薄膜的光电性能提供了理
论依据。

关键词


ITO薄膜；磁控溅射；X射线衍射；晶体结构；内应力；充氧量

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DOI: http://dx.doi.org/10.12361/2661-3654-08-03-160411

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