p-GaN栅增强型硅基GaN HEMT阈值电压调控机理研究

杜 晶
华为机器有限公司

摘要


氮化镓高电子迁移率晶体管凭借宽禁带、高击穿场强和高电子饱和漂移速度等优势，成为功率半导体领域
的核心器件。增强型器件是电力电子系统安全可靠运行的基础，p-GaN栅结构是目前实现硅基GaN HEMT增强型
特性的主流技术方案。阈值电压作为增强型器件的核心参数，其稳定性和一致性直接决定器件的性能和良率。当前
p-GaN栅增强型硅基GaN HEMT的阈值电压调控仍面临诸多挑战，工艺波动、衬底应力和界面效应等因素都会导致
阈值电压偏移、一致性差和迟滞显著等问题。相关研究围绕p-GaN栅极结构与硅基外延的耦合特征展开，梳理阈值
电压调控的工艺现状与核心问题，提出针对性的工艺优化与管理措施，为提升器件性能和良率提供实践参考。

关键词


p-GaN栅；增强型GaN HEMT；硅基外延；阈值电压；工艺调控

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参考


[1]潘传奇，王登贵，周建军，等.高压硅基p-GaN

栅结构GaN HEMT器件阈值电压稳定性研究[J].固体电

子学研究与进展，2025（3）.

[2]葛晨，李胜，张弛，等.基于表面势的增强型

p-GaN HEMT器件模型[J].电子学报，2022，50（5）：7.

[3]鲍 诚， 王 登 贵， 任 春 江， 等.增 强 型Si基GaN

HEMT的p-GaN栅特性改善研究[J].固体电子学研究与

进展，2025，45（1）：16-21.

[4]张宇翔.基于自掩膜侧壁钝化技术的p-GaN栅

HEMT器件研究[D].杭州电子科技大学，2025.

[5]朱彦旭，宋潇萌，李建伟，et al. P-GaN栅结构

GaN基HEMT器件研究进展[J].Journal of Beijing University

of Technology, 2023, 49（8）.




DOI: http://dx.doi.org/10.12361/2661-3654-08-04-160483

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