直拉单晶硅炉热应力平衡与位错缺陷防控技术

段 平强, 龙 昭钦, 张 敏
宜宾英发德坤科技有限公司

摘要


直拉单晶硅生长过程中温度梯度、固液界面波动、冷却速率的变化会影响晶体内部轴向和径向热应力的产
生，造成位错形核、滑移、增殖，破坏晶体结构的完整性。为了使热场分布均匀，拉速转速相匹配，界面形态稳定，
采取热场结构调节、工艺参数协同、分阶段冷却、缺陷在线监测等技术手段来控制晶体内外温差和应力峰值，技术
使用之后，晶体热应力分布更加均匀，位错密度、缺陷扩展范围得到有效地控制，单晶成品率以及质量稳定性也得
到了较大的改善。

关键词


直拉单晶硅；热应力平衡；位错缺陷；热场调控；晶体生长

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参考


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