直拉单晶硅炉热场结构优化与晶体生长质量控制
摘要
直拉单晶硅制备中热场结构对温度分布、固液界面稳定以及晶体缺陷的形成起着决定性作用,现有的热场
配置容易出现温差失衡、界面波动和热应力集中,造成晶体直径波动、位错增多、杂质分布不均。改进加热器、保
温层、导流、屏蔽部件参数,并加强生长过程的质量控制,炉内热环境稳定性明显改善,晶体成形质量、结构均匀
性、生产稳定性得到提高。
配置容易出现温差失衡、界面波动和热应力集中,造成晶体直径波动、位错增多、杂质分布不均。改进加热器、保
温层、导流、屏蔽部件参数,并加强生长过程的质量控制,炉内热环境稳定性明显改善,晶体成形质量、结构均匀
性、生产稳定性得到提高。
关键词
直拉单晶硅炉;热场结构;结构优化;晶体生长;质量控制
全文:
PDF参考
[1]艾进才,杨平平,赵紫薇,等.热屏结构对直径
400 mm直拉单晶硅生长的影响[J].人工晶体学报,2026,
55(1):68-76.
[2]刘文凯,刘赟,薛忠营,等.直拉单晶硅氧浓
度控制技术研究进展[J].硅酸盐学报,2025,53(12):
3494-3505.
[3]杨凯明.基于自抗扰控制的直拉单晶硅生产系统
优化[D].青海大学,2025.
[4]徐哲人,张继军,曹祥智,等.移动加热器法碲
锌镉晶体生长系统热场研究[J].人工晶体学报,2023,52
(9):1589-1598.
[5]李 福 昌.不 同 晶 体 尺 寸 下TSSG法4H-SiC晶 体
生长工艺参数和热场结构研究[D].天津理工大学,2023.
DOI:10.27360/d.cnki.gtlgy.2023.001576.
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